CSD87335Q3D vs CSD87313DMS

Cette comparaison détaillée des composants CSD87335Q3D et CSD87313DMS vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification CSD87335Q3D CSD87313DMS
Supplier - Texas Instruments
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
FET Type - 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Feature - Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Vgs(th)(Max) @ Id - 1.25V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 28nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 4290pF @ 15V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number CSD87335Q3 -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical -
Vgs(th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 4.5V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1050pF @ 15V -
Power - Max 6W -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
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