CSD87335Q3D vs CSD87313DMS Comparaison
Cette comparaison détaillée des composants CSD87335Q3D et CSD87313DMS vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
WDFN-8
Description
MOSFET 2N-CH 30V 8LSON
MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON
Supplier
-
Texas Instruments
Series
NexFET™
NexFET™
Part Status
Active
Active
FET Type
-
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Feature
-
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
30V
Vgs(th)(Max) @ Id
-
1.25V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
-
28nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
-
4290pF @ 15V
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Base Product Number
CSD87335Q3
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Configuration
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.9V @ 250µA
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.4nC @ 4.5V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1050pF @ 15V
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Power - Max
6W
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Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
