CSD87330Q3D vs CSD87331Q3D

Cette comparaison détaillée des composants CSD87331Q3D et CSD87330Q3D vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
CSD87331Q3D

+Nomenclature

6404 PCS | Texas Instruments
CSD87330Q3D

+Nomenclature

4721 PCS | Texas Instruments
Package PowerLDFN-8 PowerLDFN-8
Description MOSFET 2N-CH 30V 15A 8LSON MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
Series NexFET™ NexFET™
ProductStatus Active Active
FETType 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge)
FETFeature Standard Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 15A 20A
Vgs(th)(Max)@Id 2.1V, 1.2V @ 250µA 2.1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 3.2nC @ 4.5V 5.8nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 518pF @ 15V 900pF @ 15V
Power-Max 6W 6W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : CSD87331Q3D CSD87330Q3D

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