CSD87331Q3D vs CSD87330Q3D

Cette comparaison détaillée des composants CSD87331Q3D et CSD87330Q3D vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification CSD87331Q3D CSD87330Q3D
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature Standard Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 15A 20A
Vgs(th)(Max) @ Id 2.1V, 1.2V @ 250µA 2.1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 3.2nC @ 4.5V 5.8nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 518pF @ 15V 900pF @ 15V
Power - Max 6W 6W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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