CSD87312Q3E vs CSD87351ZQ5D Comparaison
Cette comparaison détaillée des composants CSD87312Q3E et CSD87351ZQ5D vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
TDFN-8
LDFN-8
Description
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON
Supplier
-
Texas Instruments,Rochester Electronics, LLC
Series
NexFET™
NexFET™
Part Status
Active
Active
FET Type
2 N-Channel (Dual) Common Source
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET Feature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
27A
32A
Vgs(th)(Max) @ Id
1.3V @ 250µA
2.1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
8.2nC @ 4.5V
7.7nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
1250pF @ 15V
1255pF @ 15V
Power - Max
2.5W
12W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Rds On(Max) @ Id Vgs
33mOhm @ 7A , 8V
-
