CSD87331Q3D vs CSD87313DMS Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants CSD87331Q3D et CSD87313DMS vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
CSD87331Q3D

+Nomenclature

6404 PCS | Texas Instruments
CSD87313DMS

+Nomenclature

6204 PCS | Texas Instruments
Package LDFN-8 WDFN-8
Description MOSFET 2N-CH 30V 15A 8LSON MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON
Supplier - Texas Instruments
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Feature Standard Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.1V, 1.2V @ 250µA 1.25V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 3.2nC @ 4.5V 28nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 518pF @ 15V 4290pF @ 15V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 15A -
Power - Max 6W -
Modèle de comparaison : CSD87331Q3D CSD87313DMS

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