CSD87330Q3D vs CSD87335Q3D
Cette comparaison détaillée des composants CSD87335Q3D et CSD87330Q3D vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
LDFN-8
Description
MOSFET 2N-CH 30V 8LSON
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
Series
NexFET™
NexFET™
Part Status
Active
-
Base Product Number
CSD87335Q3
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Configuration
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.9V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.4nC @ 4.5V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1050pF @ 15V
-
Power - Max
6W
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
ProductStatus
-
Active
FETType
-
2 N-Channel (Half Bridge)
FETFeature
-
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
20A
Vgs(th)(Max)@Id
-
2.1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
5.8nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
900pF @ 15V
Power-Max
-
6W
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
