CSD87312Q3E vs CSD87313DMS Comparaison
Cette comparaison détaillée des composants CSD87312Q3E et CSD87313DMS vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
TDFN-8
WDFN-8
Description
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON
Supplier
-
Texas Instruments
Series
NexFET™
NexFET™
Part Status
Active
Active
FET Type
2 N-Channel (Dual) Common Source
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Feature
Logic Level Gate
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
30V
Vgs(th)(Max) @ Id
1.3V @ 250µA
1.25V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
8.2nC @ 4.5V
28nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
1250pF @ 15V
4290pF @ 15V
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
27A
-
Rds On(Max) @ Id Vgs
33mOhm @ 7A , 8V
-
Power - Max
2.5W
-
