CSD87330Q3D vs CSD87313DMS

Cette comparaison détaillée des composants CSD87330Q3D et CSD87313DMS vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
CSD87330Q3D

+Nomenclature

4721 PCS | Texas Instruments
CSD87313DMS

+Nomenclature

6204 PCS | Texas Instruments
Package PowerLDFN-8 8-PowerWDFN
Description MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON
Supplier - Texas Instruments
Series NexFET™ NexFET™
ProductStatus Active Active
FETType 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FETFeature Logic Level Gate Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V 30V
Vgs(th)(Max)@Id 2.1V @ 250µA 1.25V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 5.8nC @ 4.5V 28nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 900pF @ 15V 4290pF @ 15V
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 20A -
Power-Max 6W -
Modèle de comparaison : CSD87330Q3D CSD87313DMS

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