CSD87331Q3D vs CSD87335Q3D Comparaison
Cette comparaison détaillée des composants CSD87335Q3D et CSD87331Q3D vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
LDFN-8
Description
MOSFET 2N-CH 30V 8LSON
MOSFET 2N-CH 30V 15A 8LSON
Series
NexFET™
NexFET™
Part Status
Active
Active
Base Product Number
CSD87335Q3
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Configuration
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
30V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.9V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.4nC @ 4.5V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1050pF @ 15V
-
Power - Max
6W
6W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
FET Type
-
2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature
-
Standard
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
-
15A
Vgs(th)(Max) @ Id
-
2.1V, 1.2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
-
3.2nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
-
518pF @ 15V
