IRFH7914TRPBF vs IRFH7911TR2PBF Comparaison
Cette comparaison détaillée des composants IRFH7914TRPBF et IRFH7911TR2PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
PQFN-8
VQFN-18
Description
MOSFET N-CH 30V 15A/35A 8PQFN
MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
Supplier
-
Infineon Technologies
Part Status
Active
Obsolete
FET Type
N-Channel
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
-
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
15A (Ta), 35A (Tc)
13A, 28A
Rds On(Max) @ Id Vgs
8.7mOhm @ 14A, 10V
8.6mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
2.35V @ 25µA
2.35V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
12nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
1160 pF @ 15 V
1060pF @ 15V
Power - Max
-
2.4W, 3.4W
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Series
HEXFET®
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
4.5V, 10V
-
Vgs(Max)
±20V
-
Power Dissipation (Max)
3.1W (Ta)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
