IRFH7004TRPBF vs IRFH7085TRPBF Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants IRFH7085TRPBF et IRFH7004TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRFH7085TRPBF

+Nomenclature

7607 PCS | Technologie Infineon
IRFH7004TRPBF

+Nomenclature

3078 PCS | Redresseur international
Package TDSON-8 TDSON-8
Description MOSFET N-CH 60V 100A PQFN IRFH7004 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Series StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™
Part Status Not For New Designs Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 40 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 100A (Tc) 100A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 3.2mOhm @ 75A, 10V 1.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3.7V @ 150µA 3.9V @ 150µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 165 nC @ 10 V 194 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 6460 pF @ 25 V 6419 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 156W (Tc) 156W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IRFH7085TRPBF IRFH7004TRPBF

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