IRFH7085TRPBF vs IRFH7084TRPBF

Cette comparaison détaillée des composants IRFH7085TRPBF et IRFH7084TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IRFH7085TRPBF IRFH7084TRPBF
Series StrongIRFET™ HEXFET®
Part Status Not For New Designs Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 40 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 100A (Tc) 100A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 6V, 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 3.2mOhm @ 75A, 10V 1.25mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3.7V @ 150µA 3.9V @ 150µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 165 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 6460 pF @ 25 V 6560 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 156W (Tc) 156W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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