IRFH7084TRPBF vs IRFH7004TRPBF Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants IRFH7004TRPBF et IRFH7084TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRFH7004TRPBF

+Nomenclature

3078 PCS | Redresseur international
IRFH7084TRPBF

+Nomenclature

3343 PCS | Technologie Infineon
Package TDSON-8 TDSON-8
Description IRFH7004 - 12V-300V N-CHANNEL PO MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Series HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V 40 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 100A (Tc) 100A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 6V, 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 1.4mOhm @ 100A, 10V 1.25mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3.9V @ 150µA 3.9V @ 150µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 194 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 6419 pF @ 25 V 6560 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 156W (Tc) 156W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IRFH7004TRPBF IRFH7084TRPBF

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