IRF9389TRPBF vs IRF9388TRPBF
Cette comparaison détaillée des composants IRF9389TRPBF et IRF9388TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SO-8
SO-8
Description
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N and P-Channel
P-Channel
Technology
-
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30V
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
6.8A, 4.6A
12A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
10V, 20V
RdsOn(Max)@IdVgs
27mOhm @ 6.8A, 10V
8.5mOhm @ 12A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id
2.3V @ 10µA
2.4V @ 25µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
14nC @ 10V
52 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
398pF @ 15V
1680 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
-
2.5W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
FETFeature
Logic Level Gate
-
Power-Max
2W
-
