IRF9389TRPBF vs IRF9310TRPBF
Cette comparaison détaillée des composants IRF9310TRPBF et IRF9389TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SO-8
Description
MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Obsolete
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Base Product Number
IRF9310
-
FET Type
P-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20A (Ta)
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 100µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
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Vgs (Max)
±20V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5250 pF @ 15 V
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Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)
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Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
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Mounting Type
Surface Mount
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Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
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ProductStatus
-
Active
FETType
-
N and P-Channel
FETFeature
-
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
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6.8A, 4.6A
RdsOn(Max)@IdVgs
-
27mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
2.3V @ 10µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
14nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
398pF @ 15V
Power-Max
-
2W
OperatingTemperature
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-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
