IRF9388TRPBF vs IRF9310PBF
Cette comparaison détaillée des composants IRF9310PBF et IRF9388TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SO-8
SO-8
Description
MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Discontinued at Digi-Key
Active
FETType
P-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30 V
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
20A (Tc)
12A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
10V, 20V
RdsOn(Max)@IdVgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
8.5mOhm @ 12A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id
2.4V @ 100µA
2.4V @ 25µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
165 nC @ 10 V
52 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
5250 pF @ 15 V
1680 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
2.5W (Ta)
2.5W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
