IRF9389TRPBF vs IRF9310PBF
Cette comparaison détaillée des composants IRF9389TRPBF et IRF9310PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SO-8
SO-8
Description
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Discontinued at Digi-Key
FETType
N and P-Channel
P-Channel
Technology
-
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30V
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
6.8A, 4.6A
20A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
27mOhm @ 6.8A, 10V
4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
2.3V @ 10µA
2.4V @ 100µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
14nC @ 10V
165 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
398pF @ 15V
5250 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max)
-
2.5W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
FETFeature
Logic Level Gate
-
Power-Max
2W
-
