IRF9310TRPBF vs IRF9388TRPBF
Cette comparaison détaillée des composants IRF9310TRPBF et IRF9388TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SO-8
Description
MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
-
Active
FETType
-
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
12A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
10V, 20V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
8.5mOhm @ 12A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id
-
2.4V @ 25µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
52 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
1680 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
-
2.5W (Ta)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
Part Status
Obsolete
-
Base Product Number
IRF9310
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
