IRF9310TRPBF vs IRF9310PBF
Cette comparaison détaillée des composants IRF9310TRPBF et IRF9310PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SO-8
Description
MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
-
Discontinued at Digi-Key
FETType
-
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
20A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
2.4V @ 100µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
165 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
5250 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max)
-
2.5W (Ta)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
Part Status
Obsolete
-
Base Product Number
IRF9310
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
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Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-