IRF7319TRPBF vs IRF7351TRPBF

Cette comparaison détaillée des composants IRF7351TRPBF et IRF7319TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRF7351TRPBF

+Nomenclature

1607 PCS | Technologie Infineon
IRF7319TRPBF

+Nomenclature

7642 PCS | Technologie Infineon
Package SO-8 SO-8
Description MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Active
FETType 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel
FETFeature Logic Level Gate Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 8A -
RdsOn(Max)@IdVgs 17.8mOhm @ 8A, 10V 29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 50µA 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 36nC @ 10V 33nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1330pF @ 30V 650pF @ 25V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IRF7351TRPBF IRF7319TRPBF

+Nomenclature Demande de devis