IRF7319TRPBF vs IRF7328PBF

Cette comparaison détaillée des composants IRF7319TRPBF et IRF7328PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRF7319TRPBF

+Nomenclature

7642 PCS | Technologie Infineon
IRF7328PBF

+Nomenclature

5117 PCS | Technologie Infineon
Package SO8 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Description MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Discontinued at Digi-Key
FETType N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
FETFeature Standard Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C - 8A
RdsOn(Max)@IdVgs 29mOhm @ 5.8A, 10V 21mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 33nC @ 10V 78nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 650pF @ 25V 2675pF @ 25V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IRF7319TRPBF IRF7328PBF

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