IRF7319TRPBF vs IRF7343TRPBF

Cette comparaison détaillée des composants IRF7343TRPBF et IRF7319TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRF7343TRPBF

+Nomenclature

3788 PCS | Technologie Infineon
IRF7319TRPBF

+Nomenclature

7642 PCS | Technologie Infineon
Package SO8 SO8
Description MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Active
FETType N and P-Channel N and P-Channel
FETFeature Standard Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 55V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 4.7A, 3.4A -
RdsOn(Max)@IdVgs 50mOhm @ 4.7A, 10V 29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 36nC @ 10V 33nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 740pF @ 25V 650pF @ 25V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IRF7343TRPBF IRF7319TRPBF

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