IRF7319TRPBF vs IRF7313TRPBF-1 Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants IRF7319TRPBF et IRF7313TRPBF-1 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRF7319TRPBF

+Nomenclature

7642 PCS | Technologie Infineon
IRF7313TRPBF-1

+Nomenclature

4102 PCS | Technologie Infineon
Package SO-8 SOIC-8
Description MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Obsolete
FET Type N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Standard Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 6.5A (Ta)
Rds On(Max) @ Id Vgs 29mOhm @ 5.8A, 10V 29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 33nC @ 10V 33nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 650pF @ 25V 650pF @ 25V
Power - Max 2W 2W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IRF7319TRPBF IRF7313TRPBF-1

+Nomenclature Demande de devis