IRF7319TRPBF vs IRF7341GTRPBF
Cette comparaison détaillée des composants IRF7341GTRPBF et IRF7319TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SO-8
SO-8
Description
MOSFET N-CH 55V 5.1A
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
2 N-Channel (Dual)
N and P-Channel
FETFeature
Standard
Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss)
55V
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
5.1A
-
RdsOn(Max)@IdVgs
50mOhm @ 5.1A, 10V
29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
1V @ 250µA (Min)
1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
44nC @ 10V
33nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
780pF @ 25V
650pF @ 25V
Power-Max
2.4W
2W
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
