FDMC8622 vs FDMC8327L

Cette comparaison détaillée des composants FDMC8622 et FDMC8327L vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
FDMC8622

+Nomenclature

3245 PCS | Semi - conducteurs
FDMC8327L

+Nomenclature

6878 PCS | Fairchild Semiconductor Inc
Package PowerWDFN-8 PowerWDFN-8
Description MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Series PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V 40 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 4A (Ta), 16A (Tc) 12A (Ta), 14A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 6V, 10V 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 56mOhm @ 4A, 10V 9.7mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 7.3 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 402 pF @ 50 V 1850 pF @ 20 V
PowerDissipation(Max) 2.5W (Ta), 31W (Tc) 2.3W (Ta), 30W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : FDMC8622 FDMC8327L

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