FDMC86262P vs FDMC8327L
Cette comparaison détaillée des composants FDMC86262P et FDMC8327L vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
PowerWDFN-8
PowerWDFN-8
Description
MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
Active
Active
FETType
P-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
150 V
40 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
2A (Ta), 8.4A (Tc)
12A (Ta), 14A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
6V, 10V
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
307mOhm @ 2A, 10V
9.7mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
13 nC @ 10 V
26 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±25V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
885 pF @ 75 V
1850 pF @ 20 V
PowerDissipation(Max)
2.3W (Ta), 40W (Tc)
2.3W (Ta), 30W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
