FDMC8032L vs FDMC8327L
Cette comparaison détaillée des composants FDMC8032L et FDMC8327L vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
PowerWDFN-8
PowerWDFN-8
Description
MOSFET 2N-CH 40V 7A 8-MLP
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
Active
Active
FETType
2 N-Channel (Dual)
N-Channel
Technology
-
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
40V
40 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
7A
12A (Ta), 14A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
20mOhm @ 7A, 10V
9.7mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
11nC @ 10V
26 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
720pF @ 20V
1850 pF @ 20 V
PowerDissipation(Max)
-
2.3W (Ta), 30W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
FETFeature
Logic Level Gate
-
Power-Max
1.9W
-
