FDMC8622 vs FDMC86116LZ
Cette comparaison détaillée des composants FDMC86116LZ et FDMC8622 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
PowerWDFN-8
Description
MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP
MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
Part Status
Active
-
Base Product Number
FDMC86116
-
FET Type
N-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
103mOhm @ 3.3A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
-
Vgs (Max)
±20V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
310 pF @ 50 V
-
Power Dissipation (Max)
2.3W (Ta), 19W (Tc)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
4A (Ta), 16A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
6V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
56mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
7.3 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
402 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max)
-
2.5W (Ta), 31W (Tc)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
