FDMC86116LZ vs FDMC8622

Cette comparaison détaillée des composants FDMC86116LZ et FDMC8622 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification FDMC86116LZ FDMC8622
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Active Active
Base Product Number FDMC86116 -
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V 100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.3A (Ta), 7.5A (Tc) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 103mOhm @ 3.3A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±20V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 310 pF @ 50 V -
Power Dissipation (Max) 2.3W (Ta), 19W (Tc) 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 4A (Ta), 16A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 6V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 56mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 7.3 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 402 pF @ 50 V
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