FDMC86262P vs FDMC8622

Cette comparaison détaillée des composants FDMC8622 et FDMC86262P vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
FDMC8622

+Nomenclature

3245 PCS | Semi - conducteurs
FDMC86262P

+Nomenclature

3095 PCS | Semi - conducteurs
Package PowerWDFN-8 PowerWDFN-8
Description MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
Series PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V 150 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 4A (Ta), 16A (Tc) 2A (Ta), 8.4A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 6V, 10V 6V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 56mOhm @ 4A, 10V 307mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 7.3 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 402 pF @ 50 V 885 pF @ 75 V
PowerDissipation(Max) 2.5W (Ta), 31W (Tc) 2.3W (Ta), 40W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : FDMC8622 FDMC86262P

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