FDMC8030 vs FDMC8327L
Cette comparaison détaillée des composants FDMC8030 et FDMC8327L vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
PowerWDFN-8
Description
MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
40 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
12A (Ta), 14A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
9.7mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
26 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
1850 pF @ 20 V
PowerDissipation(Max)
-
2.3W (Ta), 30W (Tc)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
Part Status
Obsolete
-
Base Product Number
FDMC80
-
Configuration
2 N-Channel (Dual)
-
FET Feature
Logic Level Gate
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 12A, 10V
-
Power - Max
800mW
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
