IRFP4768PBF vs IRFP4229PBF
Cette comparaison détaillée des composants IRFP4768PBF et IRFP4229PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
TO-247-3
Description
MOSFET N-CH 250V 93A TO247AC
IRFP4229 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
250 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
44A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
46mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
110 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
4560 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
-
310W (Tc)
OperatingTemperature
-
-40°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
-
Through Hole
Part Status
Last Time Buy
-
Base Product Number
IRFP4768
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17.5mOhm @ 56A, 10V
-
Packaging
Tube
-
