IRFP4768PBF vs IRFP4110PBF

Cette comparaison détaillée des composants IRFP4768PBF et IRFP4110PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRFP4768PBF

+Nomenclature

7193 PCS | Technologie Infineon
IRFP4110PBF

+Nomenclature

4469 PCS | Redresseur international
Package TO247
Description MOSFET N-CH 250V 93A TO247AC IRFP4110 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus - Active
FETType - N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) - 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C - 120A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) - 10V
RdsOn(Max)@IdVgs - 4.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id - 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs - 210 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds - 9620 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) - 370W (Tc)
OperatingTemperature - -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType - Through Hole
Part Status Last Time Buy -
Base Product Number IRFP4768 -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.5mOhm @ 56A, 10V -
Packaging Tube -
Modèle de comparaison : IRFP4768PBF IRFP4110PBF

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