IRFP4227PBF vs IRFP4229PBF
Cette comparaison détaillée des composants IRFP4229PBF et IRFP4227PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
TO-247-3
TO247
Description
IRFP4229 - 12V-300V N-CHANNEL PO
IRFP4227 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
250 V
200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
44A (Tc)
65A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
46mOhm @ 26A, 10V
25mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
5V @ 250µA
5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
110 nC @ 10 V
98 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±30V
±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
4560 pF @ 25 V
4600 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
310W (Tc)
330W (Tc)
OperatingTemperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
-40°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Through Hole
Through Hole
