IRFP460APBF vs IRFP4229PBF

Cette comparaison détaillée des composants IRFP4229PBF et IRFP460APBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRFP4229PBF

+Nomenclature

2338 PCS | Redresseur international
IRFP460APBF

+Nomenclature

3680 PCS | Siliconix
Package TO-247-3 TO-247-3
Description IRFP4229 - 12V-300V N-CHANNEL PO MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Series HEXFET® -
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 250 V 500 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 44A (Tc) 20A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 46mOhm @ 26A, 10V 270mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 110 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 4560 pF @ 25 V 3100 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 310W (Tc) 280W (Tc)
OperatingTemperature -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Modèle de comparaison : IRFP4229PBF IRFP460APBF

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