IRFP4227PBF vs IRFP4768PBF
Cette comparaison détaillée des composants IRFP4768PBF et IRFP4227PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
TO247
Description
MOSFET N-CH 250V 93A TO247AC
IRFP4227 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Last Time Buy
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Base Product Number
IRFP4768
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FET Type
N-Channel
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Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
93A (Tc)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17.5mOhm @ 56A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
270 nC @ 10 V
-
Vgs (Max)
±20V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
10880 pF @ 50 V
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Power Dissipation (Max)
520W (Tc)
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Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
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Mounting Type
Through Hole
-
Packaging
Tube
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ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
65A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
25mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
98 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
4600 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
-
330W (Tc)
OperatingTemperature
-
-40°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
-
Through Hole
