IRFP4227PBF vs IRFP4332PBF

Cette comparaison détaillée des composants IRFP4227PBF et IRFP4332PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRFP4227PBF

+Nomenclature

2165 PCS | Redresseur international
IRFP4332PBF

+Nomenclature

2764 PCS | Technologie Infineon
Package TO247 TO247
Description IRFP4227 - 12V-300V N-CHANNEL PO MOSFET N-CH 250V 57A TO247AC
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 200 V 250 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 65A (Tc) 57A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 25mOhm @ 46A, 10V 33mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 98 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 4600 pF @ 25 V 5860 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 330W (Tc) 360W (Tc)
OperatingTemperature -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Modèle de comparaison : IRFP4227PBF IRFP4332PBF

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