IRFP4227PBF vs IRFP4310ZPBF Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants IRFP4227PBF et IRFP4310ZPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRFP4227PBF

+Nomenclature

2165 PCS | Redresseur international
IRFP4310ZPBF

+Nomenclature

3590 PCS | Technologie Infineon
Package TO-247 TO-247-3
Description IRFP4227 - 12V-300V N-CHANNEL PO MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 65A (Tc) 120A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 25mOhm @ 46A, 10V 6mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 150µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4600 pF @ 25 V 6860 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 330W (Tc) 280W (Tc)
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Modèle de comparaison : IRFP4227PBF IRFP4310ZPBF

+Nomenclature Demande de devis