IRFP4227PBF vs IRFP460A

Cette comparaison détaillée des composants IRFP460A et IRFP4227PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRFP460A

+Nomenclature

7403 PCS | Siliconix
IRFP4227PBF

+Nomenclature

2165 PCS | Redresseur international
Package TO-247-3 TO247
Description MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 IRFP4227 - 12V-300V N-CHANNEL PO
ProductStatus Obsolete Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 500 V 200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 20A (Tc) 65A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 270mOhm @ 12A, 10V 25mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 105 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 3100 pF @ 25 V 4600 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 280W (Tc) 330W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Series - HEXFET®
Modèle de comparaison : IRFP460A IRFP4227PBF

+Nomenclature Demande de devis