IRFP4110PBF vs IRFP4668PBF Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants IRFP4110PBF et IRFP4668PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRFP4110PBF

+Nomenclature

4469 PCS | Redresseur international
IRFP4668PBF

+Nomenclature

6039 PCS | Technologie Infineon
Package TO-247 TO-247
Description IRFP4110 - 12V-300V N-CHANNEL PO MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V 200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 120A (Tc) 130A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V 9.7mOhm @ 81A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V 241 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 9620 pF @ 50 V 10720 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 370W (Tc) 520W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Modèle de comparaison : IRFP4110PBF IRFP4668PBF

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