IRFP4110PBF vs IRFP460A Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants IRFP460A et IRFP4110PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRFP460A

+Nomenclature

7403 PCS | Siliconix
IRFP4110PBF

+Nomenclature

4469 PCS | Redresseur international
Package TO-247-3 TO-247
Description MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 IRFP4110 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Part Status Obsolete Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 20A (Tc) 120A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 270mOhm @ 12A, 10V 4.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 3100 pF @ 25 V 9620 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 280W (Tc) 370W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Series - HEXFET®
Modèle de comparaison : IRFP460A IRFP4110PBF

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