IRFP3206PBF vs IRFP3710PBF

Cette comparaison détaillée des composants IRFP3710PBF et IRFP3206PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRFP3710PBF

+Nomenclature

3244 PCS | Technologie Infineon
IRFP3206PBF

+Nomenclature

1748 PCS | Technologie Infineon
Package TO-247-3 TO-247-3
Description MOSFET N-CH 100V 57A TO247AC MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V 60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 57A (Tc) 120A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 25mOhm @ 28A, 10V 3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 150µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 190 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 3000 pF @ 25 V 6540 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) 200W (Tc) 280W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Modèle de comparaison : IRFP3710PBF IRFP3206PBF

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