IRFP3710PBF vs IRFP360PBF

Cette comparaison détaillée des composants IRFP360PBF et IRFP3710PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRFP360PBF

+Nomenclature

3678 PCS | Siliconix
IRFP3710PBF

+Nomenclature

3244 PCS | Technologie Infineon
Package TO-247-3 TO-247-3
Description MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3 MOSFET N-CH 100V 57A TO247AC
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 400 V 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 23A (Tc) 57A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 200mOhm @ 14A, 10V 25mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 210 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 4500 pF @ 25 V 3000 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 280W (Tc) 200W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Series - HEXFET®
Modèle de comparaison : IRFP360PBF IRFP3710PBF

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