IRFP3710PBF vs IRFP32N50KPBF Comparaison
Cette comparaison détaillée des composants IRFP3710PBF et IRFP32N50KPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
TO-247-3
TO-247-3
Description
MOSFET N-CH 100V 57A TO247AC
MOSFET N-CH 500V 32A TO247-3
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
500 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
57A (Tc)
32A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
10V
10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
25mOhm @ 28A, 10V
160mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
4V @ 250µA
5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
190 nC @ 10 V
190 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
3000 pF @ 25 V
5280 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)
200W (Tc)
460W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Through Hole
Series
HEXFET®
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