IRFP3710PBF vs IRFP3306PBF
Cette comparaison détaillée des composants IRFP3306PBF et IRFP3710PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
TO-247-3
Description
MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC
MOSFET N-CH 100V 57A TO247AC
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Last Time Buy
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Base Product Number
IRFP3306
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FET Type
N-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 75A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
-
Vgs (Max)
±20V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4520 pF @ 50 V
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Power Dissipation (Max)
220W (Tc)
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Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
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Mounting Type
Through Hole
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Packaging
Tube
-
ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
57A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
25mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
190 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
3000 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
-
200W (Tc)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
-
Through Hole
