IRF7343TRPBF vs IRF7389TRPBF Comparaison
Cette comparaison détaillée des composants IRF7389TRPBF et IRF7343TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SO-8
SO-8
Description
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Active
Active
FET Type
N and P-Channel
N and P-Channel
FET Feature
Logic Level Gate
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
55V
Rds On(Max) @ Id Vgs
29mOhm @ 5.8A, 10V
50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
1V @ 250µA
1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
33nC @ 10V
36nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
650pF @ 25V
740pF @ 25V
Power - Max
2.5W
2W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
-
4.7A, 3.4A
