IRF7303TRPBF vs IRF7351TRPBF Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants IRF7351TRPBF et IRF7303TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRF7351TRPBF

+Nomenclature

1607 PCS | Technologie Infineon
IRF7303TRPBF

+Nomenclature

5181 PCS | Technologie Infineon
Package SO-8 SO-8
Description MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 8A 4.9A
Rds On(Max) @ Id Vgs 17.8mOhm @ 8A, 10V 50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 50µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 36nC @ 10V 25nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1330pF @ 30V 520pF @ 25V
Power - Max 2W 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IRF7351TRPBF IRF7303TRPBF

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