IRF7303TRPBF vs IRF7389 Comparaison
Cette comparaison détaillée des composants IRF7303TRPBF et IRF7389 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
SO-8
SOIC-8
Description
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Supplier
-
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Active
Obsolete
FET Type
2 N-Channel (Dual)
N and P-Channel
FET Feature
Standard
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
30V
Rds On(Max) @ Id Vgs
50mOhm @ 2.4A, 10V
29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
1V @ 250µA
1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
25nC @ 10V
33nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
520pF @ 25V
650pF @ 25V
Power - Max
2W
2.5W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
4.9A
-
