IRF7303TRPBF vs IRF7328PBF Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants IRF7303TRPBF et IRF7328PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRF7303TRPBF

+Nomenclature

5181 PCS | Technologie Infineon
IRF7328PBF

+Nomenclature

5117 PCS | Technologie Infineon
Package SO-8 SOIC-8
Description MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Discontinued at Digi-Key
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Standard Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4.9A 8A
Rds On(Max) @ Id Vgs 50mOhm @ 2.4A, 10V 21mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 25nC @ 10V 78nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 520pF @ 25V 2675pF @ 25V
Power - Max 2W 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IRF7303TRPBF IRF7328PBF

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