IRF7343TRPBF vs IRF7351TRPBF Comparaison
Cette comparaison détaillée des composants IRF7351TRPBF et IRF7343TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SO-8
SO-8
Description
MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Active
Active
FET Type
2 N-Channel (Dual)
N and P-Channel
FET Feature
Logic Level Gate
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
55V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
8A
4.7A, 3.4A
Rds On(Max) @ Id Vgs
17.8mOhm @ 8A, 10V
50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
4V @ 50µA
1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
36nC @ 10V
36nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
1330pF @ 30V
740pF @ 25V
Power - Max
2W
2W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
