IRF7342PBF vs IRF7389TR Comparaison
Cette comparaison détaillée des composants IRF7342PBF et IRF7389TR vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
SOIC-8
SOIC-8
Description
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Supplier
-
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Obsolete
FET Type
2 P-Channel (Dual)
N and P-Channel
FET Feature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
55V
30V
Rds On(Max) @ Id Vgs
105mOhm @ 3.4A, 10V
29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
1V @ 250µA
1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
38nC @ 10V
33nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
690pF @ 25V
650pF @ 25V
Power - Max
2W
2.5W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
3.4A
-
