IRF7341PBF vs IRF7379QTRPBF
Cette comparaison détaillée des composants IRF7341PBF et IRF7379QTRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SOIC-8
SOIC-8
Description
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Supplier
Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies
Infineon Technologies
ProductStatus
Discontinued at Digi-Key
Obsolete
FETType
2 N-Channel (Dual)
N and P-Channel
FETFeature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
55V
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
4.7A
5.8A, 4.3A
RdsOn(Max)@IdVgs
50mOhm @ 4.7A, 10V
45mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
1V @ 250µA
1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
36nC @ 10V
25nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
740pF @ 25V
520pF @ 25V
Power-Max
2W
2.5W
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
Series
HEXFET®
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
